1、走进莫特-肖特基的智慧 另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。
2、相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
3、M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
4、光催化剂莫特肖特基曲线测试不需要光照。光催化类的实验测只是测半导体与溶液接触时的电性质，不需要用光，测试中有光和无光似乎只影响数值（电容值）的大小，对曲线趋势和平带电位不影响。
5、频率设置为5HZ。M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
Lett. 在线发表了 福州大学肖方兴 教授在 金属纳米团簇本征不稳定性可控调制用于光催化产氢 上的研究成果。 背景介绍 肖方兴教授课题组已经证实，金属纳米团簇的不稳定性主要源于其在光照下原位自转变为金属纳米晶，导致其光响应能力大幅下降。
1、关于M-S测量中两个不同线性区域的问题，文献中的一般解释是存在多个施主能级。
2、另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
3、肖特基曲线是个直线的原因是由于金属半导体接触与欧姆接触和肖特基接触之间的关系形成了对应的电流至电压曲线为一条直线，根据欧姆定律分析即可。
根据查询百度文库得知，莫特肖特基是一种用于判断半导体材料类型（p型或n型）的方法。在莫特肖特基测试中，样品与参比电极之间施加一定的电压，测量样品与参比电极之间的电流，以及电流与电压之间的关系。
另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
p型半导体的莫特肖特基曲线斜率大小说明分离效率。根据查询相关公开信息，电流越大，分离效率约好。n型还是p型半导体要用到莫特肖特基测试，曲线斜率为正就是n型，为负就是p型。
εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在电压轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。
另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。
频率设置为5HZ。M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
关于M-S测量中两个不同线性区域的问题，文献中的一般解释是存在多个施主能级。
肖特基曲线是个直线的原因是由于金属半导体接触与欧姆接触和肖特基接触之间的关系形成了对应的电流至电压曲线为一条直线，根据欧姆定律分析即可。
另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
